SSD 2TB Gigabyte Aorus 5000E NVME M.2 - AG450E2TB-G

Ref.: F-132446

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SSD 2TB Gigabyte Aorus 5000E NVME M.2 - AG450E2TB-G

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ESPECIFICAÇÕES

Marca: Gigabyte

Modelo: AG450E2TB-G

Construído com um controlador de alta qualidade e flash NAND de alta qualidade, o SSD AORUS Gen4 5000E oferece desempenho de leitura sequencial de até 6.500 MB/s e gravação sequencial de 6.000 MB/s.

Ao utilizar a tecnologia Host Memory Buffer, o controlador SSD pode acessar a DRAM do host sem perda de desempenho. Quanto aos recursos, o SSD AORUS Gen4 5000E suporta tecnologias TRIM, SMART e Over-Provision para melhorar a confiabilidade e durabilidade dos SSDs. O SSD AORUS Gen4 5000E permite aos usuários desfrutar de uma experiência de jogo mais suave e rápida com mais eficiência energética.

Flash NAND 3D selecionado de alta velocidade e alta qualidade
O Flash NAND 3D de altíssima velocidade, selecionado por critérios críticos, combinado com as otimizações de firmware do SSD AORUS Gen4 5000E, leva a um desempenho superior.

Melhore a eficiência e a capacidade de resposta
Equipado com uma combinação robusta de controlador e flash NAND 3D de nova geração, o SSD AORUS Gen4 5000E oferece velocidades incríveis: até 6.500 MB/s para leitura sequencial e até 6.000 MB/s de gravação sequencial. O desempenho de leitura sequencial dos SSDs PCIe 4.0 é 1,8 vezes mais rápido que o dos SSDs PCIe 3.0. O SSD AORUS Gen4 5000E coloca você na via rápida da computação.

O recurso Host Memory Buffer (HMB) utiliza o DMA (Direct Memory Access) do PCI Express para permitir que os SSDs usem parte da DRAM no sistema do PC, em vez de exigir que o SSD traga sua própria DRAM.

A tecnologia exclusiva da GIGABYTE utiliza algoritmo especial para permitir o gerenciamento inteligente do NAND Flash e aprimorar a capacidade de decodificação. Isso otimiza a recuperação de erros no flash NAND para confiabilidade de armazenamento superior.

A tecnologia Media Scan exclusiva da GIGABYTE pode monitorar automaticamente o status de integridade do flash NAND em segundo plano e lidar com blocos de flash não saudáveis sem interromper a operação regular.

Interface
PCI Express 4.0x4, NVMe 1.4

Fator de forma
M.2 2280

Capacidade total
2.000 GB

NAND
Flash NAND QLC Modelo 3D

Velocidade de leitura sequencial
Até 6.500 MB/s

Velocidade de gravação sequencial
Até 6.000 MB/s

Dimensão
80x22x2,3mm

Tempo médio entre falhas (MTBF)
1,5 milhão de horas

Máx. Potência Operacional
R: 6,2WW: 6,5W

Consumo de energia (PS4, L1.2)
L1.2 <5mW

Temperatura (operacional)
0°C a 70°C

Temperatura (armazenamento)
40°C a 85°C

Observação

Configuração do sistema de teste: a configuração pode variar de acordo com os modelos, escolheremos a plataforma mais recente para verificação.

O desempenho pode variar com base na versão do firmware do SSD e no hardware e configuração do sistema. Medições sequenciais de desempenho baseadas em CrystalDiskMark e IOmeter 1.1.0.

Velocidades baseadas em testes internos. O desempenho real pode variar.

1 GB = 1 bilhão de bytes. A capacidade utilizável real pode variar.

GARANTIA

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